مقطع عرضي لترانزستور البوابة المحيطية والأسلاك

• تعمل أنظمة تصنيع الرقائق الجديدة على تعزيز الأداء الموفر للطاقة لترانزستورات وأسلاك Gate-All-Around عند 2 نانومتر وما بعده
• تعمل معالجة Viva™ الجذرية النقية على تنعيم صفائح السيليكون النانوية GAA بدقة على المستوى الذري لزيادة أداء الترانزستور
• يوفر نظام حفر الموصلات Sym3™ Z Magnum™ تحكمًا ثلاثي الأبعاد في شكل الخندق على مستوى الأنجستروم لزيادة تجانس وأداء صفائح السيليكون النانوية
• يستبدل نظام الترسيب الذري Spectral™ موصلات الترانزستور المصنوعة من التنجستن الحالية بالموليبدينوم، وهو معدن جديد يُستخدم في الموصلات، مما يقلل المقاومة الكهربائية عند الوصلة الحرجة بين الترانزستورات وشبكة الأسلاك النحاسية.
• تُستخدم الأنظمة الجديدة الآن من قبل العديد من الشركات الرائدة في تصنيع الدوائر المنطقية للمسابك.
  
  

سانتا كلارا، كاليفورنيا، 10 فبراير 2026 (جلوب نيوزواير) - أعلنت شركة "أبلايد ماتيريالز"، الرائدة في هندسة المواد لصناعة أشباه الموصلات، اليوم عن أنظمة جديدة للترسيب والحفر وتعديل المواد، تُعزز أداء رقائق المنطق المتطورة بتقنية 2 نانومتر وما بعدها. وتُساهم هذه التقنيات في تعزيز قدرات الحوسبة في مجال الذكاء الاصطناعي من خلال تحسينات على المستوى الذري لأهم وحدة بناء إلكترونية - الترانزستور.

يمثل التحول إلى ترانزستورات البوابة الشاملة (GAA) نقلة نوعية في الصناعة وعاملاً حاسماً في تمكين الحوسبة الموفرة للطاقة اللازمة لإنتاج رقائق ذكاء اصطناعي أكثر قوة. ومع بدء الإنتاج الكمي لرقائق GAA من فئة 2 نانومتر هذا العام، تُقدم شركة Applied ابتكارات جديدة في المواد لتحسين ترانزستورات GAA من الجيل التالي لعقدة أنغستروم. ويُساهم التأثير المُجتمع لأنظمة تصنيع الرقائق الجديدة بجزء كبير من إجمالي مكاسب الأداء الموفرة للطاقة الناتجة عن التحول إلى عقدة معالجة GAA.

قال الدكتور برابو راجا، رئيس مجموعة منتجات أشباه الموصلات في شركة أبلايد ماتيريالز: "يدفع التطور السريع للذكاء الاصطناعي أداء الحوسبة إلى أقصى حدوده، وتبدأ الإنجازات في مجال الحوسبة من الترانزستور. ولمواكبة عصر الأنجستروم، تقدم أبلايد ابتكارات هندسية في مجال المواد تُحسّن كفاءة استهلاك الطاقة في الحوسبة. وتُعزز هذه الأنظمة الجديدة ريادة أبلايد الراسخة في إحداث نقلات نوعية في الترانزستورات والأسلاك، بينما تُساعد العملاء على تسريع خطط تطوير رقائقهم لمواكبة التطور المتسارع للذكاء الاصطناعي."

نظام المعالجة الجذرية الجديد Viva™ يُمكّن من الهندسة الدقيقة للألواح النانوية لترانزستور GAA

تُعدّ الصفائح النانوية الحاملة للتيار الكهربائي، والمُكوّنة من طبقات أفقية، جوهر ترانزستورات GAA. فهي مصنوعة من السيليكون فائق الرقة، لا يتجاوز عرضه بضعة نانومترات، ولذا يجب أن تكون خصائصها الفيزيائية مُحدّدة بدقة متناهية لضمان عملها كمسار توصيل فعّال لحاملات الشحنة. ويُعدّ سطح هذه الصفائح النانوية ذا أهمية بالغة، إذ يُمكن حتى للخشونة أو التلوث على المستوى الذري أن يُؤثّر بشكل كبير على خصائصها الكهربائية، وبالتالي على أداء الشريحة ككل. ويُحسّن سطح الصفيحة النانوية النقي والمتجانس للغاية بشكلٍ كبير من حركة الإلكترونات في القناة، والتي تلعب دورًا محوريًا في تحديد سرعة تشغيل وإيقاف الترانزستورات، مما يُؤدي إلى ترانزستورات أسرع وأكثر كفاءة في استهلاك الطاقة، مُصممة لتلبية متطلبات الجيل القادم من شرائح الذكاء الاصطناعي.

يُقدّم نظام المعالجة الجذرية Applied Producer™ Viva™ هندسةً دقيقةً للغاية على مستوى الأنجستروم لأسطح هذه الصفائح النانوية. ويكمن جوهر Viva في بنية توصيل حاصلة على براءة اختراع تُولّد أنواعًا جذرية فائقة النقاء. تجمع هذه التقنية بين مصدر البلازما عن بُعد من Applied وابتكارات أخرى في مجال الأجهزة لتصفية الأيونات المشحونة عالية الطاقة التي قد تُلحق الضرر ببنية السطح. وتُوفّر الجذور الحرة المُركّزة بيئة معالجة أكثر لطفًا وخالية من التلف، مما يُتيح معالجةً سطحيةً مُوحّدةً في هياكل الترانزستور المدفونة بعمق.

يتم اعتماد نظام Viva من قبل الشركات الرائدة في صناعة رقائق المنطق لهندسة القنوات المتقدمة عند عقد معالجة 2 نانومتر وما بعدها.

يتمتع نظام Viva الجديد بتطبيقات إضافية في كلٍ من المنطق والذاكرة. وعند دمجه مع عملية التلدين الحراري Pyra™ من Applied Producer ، تُقلل المعالجة الجذرية الإضافية مقاومة أسلاك النحاس الموصلة، مما يُبشر بتوسيع نطاق استخدام النحاس في الطبقات المعدنية السفلية لأحدث التقنيات.

نظام الحفر الجديد Sym3™ Z Magnum™ يُنشئ أخاديد ثلاثية الأبعاد بدقة أنغستروم مع تحكم مُحسّن في البلازما
  
يتطلب التصميم ثلاثي الأبعاد العمودي لترانزستورات GAA من مصنعي الرقائق حفر أخاديد عميقة وضيقة بدقة متناهية. يجب أن تحافظ هذه الأخاديد على عمق موحد، وجدران جانبية مستقيمة، وقواعد مستطيلة مسطحة، لأن حتى الاختلافات الطفيفة قد تؤثر على سرعة الترانزستور، وكفاءة الطاقة، والأداء العام. ومع تصغير حجم العُقد، أصبحت هذه الدقة ضرورية للغاية، مما جعل تقنية الحفر بالبلازما المتقدمة لا غنى عنها.

تُعلن شركة Applied اليوم عن نظام الحفر Centris™ Sym3™ Z Magnum™ ، وهو أحدث إضافة إلى عائلة Sym3 Z. وقد أدخلت منصة Sym3 Z تقنية الجهد النبضي (PVT) إلى الإنتاج بكميات كبيرة، مستخدمةً التحكم الأيوني على مستوى الميكروثانية لإنشاء ميزات النسبة العالية بين الطول والعرض في ترانزستورات GAA. وقد حظي النظام بانتشار واسع، حيث أصبح الأداة المعتمدة في تصنيع الدوائر المنطقية بتقنية 2 نانومتر، مع وجود أكثر من 250 غرفة حفر قيد الاستخدام.

لتعزيز قابلية التوسع، تُطلق Sym3 Z Magnum تقنية الجهد النبضي من الجيل الثاني (PVT2) الرائدة. لا تقتصر مزايا PVT2 على إزالة المفاضلة التقليدية بين توجيه الأيونات والتحكم في البلازما بالقرب من الرقاقة، بل تُمكّن أيضًا من ضبط زاوية الأيونات وطاقتها بشكل مستقل. تُتيح هذه الإمكانيات مسارات أيونية أكثر دقةً مباشرةً إلى سطح الرقاقة. ومن خلال دمج PVT2 مع تقنية المصدر الجديدة للنظام، تُنتج Sym3 Z Magnum أخاديد نظيفة ودقيقة تُتيح الحصول على صفائح نانوية موحدة، وتبديل أسرع، ونمو طبقي عالي الجودة، مما يُعزز سرعة الترانزستور وأداء الشريحة بشكل عام.

يتجاوز Sym3 Z Magnum نطاق المنطق من فئة أنغستروم، إذ يُطوّر تقنيات ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) وذاكرة النطاق الترددي العالي (HBM) من خلال توفير المواصفات الدقيقة اللازمة لمصفوفات أكثر كثافة وطبقات أطول. وتساهم تطبيقاته الواسعة في سرعة تبنيه من قبل كبرى شركات تصنيع الرقائق، وتعزز ريادة شركة Applied في مجال الحفر المتقدم.

نظام Spectral™ ALD الجديد يقلل مقاومة التلامس من خلال الترسيب الانتقائي للموليبدينوم

يتطلب تطوير ذكاء اصطناعي أكثر قوة ابتكارًا يتجاوز مجرد الترانزستور. فمع استمرار تصغير حجم المعالجات إلى أقل من 2 نانومتر، تصبح الموصلات المعدنية الدقيقة التي تربط كل ترانزستور بشبكة الأسلاك أرقّ فأرق، مما يزيد بشكل كبير من المقاومة الكلية للشريحة ويشكل عائقًا أمام الأداء وكفاءة الطاقة. عند هذه الأبعاد النانوية، تواجه موصلات التنجستن التقليدية تحديات في قدرتها على توصيل الإلكترونات بكفاءة. وقد برز الموليبدينوم - وهو معدن يمكن تصنيعه بسمك أقل مع الحفاظ على تدفق الإلكترونات بكفاءة - كبديل واعد لموصلات الجيل القادم عند عقدة الأنجستروم.

يقوم نظام Applied Centris™ Spectral™ Molybdenum ALD* بترسيب الموليبدينوم أحادي البلورة بشكل انتقائي، مما يقلل مقاومة التلامس الحرجة بنسبة تصل إلى 15% مقارنةً بالمعيار الصناعي الحالي - نظام Applied Endura™ Volta™ Selective Tungsten . ونظرًا لأن هذه التلامسات تُشكل أصغر الوصلات بين الموصلات البينية والترانزستورات، فإن الحفاظ على مقاومة منخفضة أمر بالغ الأهمية لضمان أقصى أداء للرقاقة وكفاءة في استهلاك الطاقة.

يمثل Spectral سلسلة جديدة من أدوات ALD التي تتميز بتصميم مفاعل رباعي متطور مع توصيل كيميائي دقيق، ومجموعة متنوعة من إمكانيات معالجة البلازما والحرارة، وأجهزة متخصصة لكل من التشغيل الزمني والمكاني لتقنية ALD - مما يوفر القدرة على إنشاء مجموعة واسعة من الأغشية المتقدمة لتشغيل رقائق الذكاء الاصطناعي المتقدمة.

يتبنى كبار مصنعي رقائق المنطق نظام Spectral بتقنية تصنيع 2 نانومتر وما دونها. يمكنكم مشاهدة عرض توضيحي لإمكانيات النظام هنا .

تتوفر مجموعة مواد إعلامية تحتوي على معلومات إضافية حول أنظمة Viva و Sym3 Z و Spectral على موقع Applied Materials الإلكتروني.

*ALD = ترسيب الطبقات الذرية

نبذة عن شركة أبلايد ماتيريالز
شركة أبلايد ماتيريالز (المدرجة في بورصة ناسداك تحت الرمز: AMAT) هي الشركة الرائدة في حلول هندسة المواد التي تُشكل أساس جميع أشباه الموصلات والشاشات المتطورة تقريبًا في العالم. تُعدّ التقنية التي نبتكرها ضرورية لتطوير الذكاء الاصطناعي وتسريع طرح الجيل القادم من الرقائق الإلكترونية في الأسواق. في أبلايد، نسعى جاهدين لتوسيع آفاق العلوم والهندسة لتقديم ابتكارات في مجال المواد تُحدث تغييرًا جذريًا في العالم. للمزيد من المعلومات، تفضلوا بزيارة موقعنا الإلكتروني www.appliedmaterials.com .

اتصال:
ريكي جرادوهل (وسائل الإعلام) 408.235.4676
مايك سوليفان (المجتمع المالي) 408.986.7977

تتوفر صورة مرفقة بهذا الإعلان على الرابط التالي: https://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/50ebed0d-d115-420d-a789-f7f1d4261cdd