تتيح اتفاقية الترخيص لشركة Magnachip الوصول إلى تقنيات GeneSiC™ من الجيل الرابع والخامس من Navitas، والتي تغطي نطاق جهد 1200 فولت و2300 فولت و3300 فولت وما فوق، مدعومة بسلسلة التوريد ونظام المواد الخاص بشركة Navitas.

استهداف البنية التحتية للطاقة والشبكات، وتخزين الطاقة، والكهرباء الصناعية، والسيارات، وغيرها من الأنظمة عالية الطاقة في كوريا

تورانس، كاليفورنيا وسيول، كوريا الجنوبية، 23 يوليو 2026 (جلوب نيوزواير) - أعلنت شركة نافيتاس لأشباه الموصلات (ناسداك: NVTS )، وهي شركة رائدة في مجال أشباه موصلات الطاقة من الجيل التالي GaNFast™ المصنوعة من نتريد الغاليوم (GaN) و GeneSiC™ المصنوعة من كربيد السيليكون (SiC)، وشركة ماجناتشيب لأشباه الموصلات (بورصة نيويورك: MX )، وهي شركة مصممة ومصنعة لحلول منصات أشباه موصلات الطاقة التناظرية والمختلطة، اليوم عن شراكة استراتيجية لتسريع اعتماد تقنيات SiC في أسواق الطاقة ذات الجهد العالي (HV) والجهد العالي للغاية (UHV).

بموجب بنود الاتفاقية، ستحصل شركة ماغناتشيب على ترخيص تقنية GeneSiC™ Trench-Assisted Planar™ (TAP) من شركة نافيتاس لدخول أسواق السيليكون كاربايد (SiC) ذات الجهد العالي والجهد الفائق. ويغطي الترخيص تقنيات GeneSiC ذات الجهد 1200 فولت، و2300 فولت، و3300 فولت، وما فوقها ، مما يُمكّن ماغناتشيب من البناء على منصات أجهزة السيليكون كاربايد (SiC) المُثبتة من نافيتاس لتطبيقات تحويل الطاقة من الجيل التالي.

ستتمكن ماجناتشيب أيضًا من الوصول إلى سلسلة توريد السيليكون كاربايد (SiC) ومنظومة المواد الخاصة بنافيتاس، مما يدعم دخولها السريع إلى السوق. وفي الوقت نفسه، من المخطط نقل هذه التقنية وتأهيلها وتطبيقها داخليًا في مصنع ماجناتشيب في كوريا الجنوبية. وتتوقع الشركتان أن يُسهم هذا النهج في تسريع دخول ماجناتشيب إلى سوق السيليكون كاربايد مع الحفاظ على استمرارية التكامل مع قاعدة نافيتاس الراسخة من التقنيات والمواد. ومن المتوقع أن تدعم التقنيات المرخصة تطبيقات الجيل القادم، بما في ذلك البنية التحتية للطاقة والشبكات، وتخزين الطاقة، والكهرباء الصناعية، وأنظمة السيارات وغيرها من الأنظمة عالية الطاقة.

وأوضحت الشركتان أيضاً أن الاتفاقية تشمل تعاوناً أوسع نطاقاً يتجاوز نطاق شركة SiC. ومن المتوقع الكشف عن تفاصيل مجالات الشراكة الإضافية والإعلان عنها لاحقاً.