يقال إن شركة Micron Technology, Inc (NASDAQ: MU ) تخطط لبناء مصنع جديد مجاور لمصنع هيروشيما الحالي بحلول عام 2026 .

يمتلك مصمم الرقائق مصنع DRAM في محافظة هيروشيما باليابان، وفقًا لتقارير DigiTimes.

تخطط الشركة الرئيسية المزودة لشرائح الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي (HBM) لإنفاق 800 مليار ين ياباني على منشأة تصنيع لذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) المتقدمة في هيروشيما. وارتفع السهم بعد التقرير.

ويتطلع المصنع الجديد إلى بدء التشغيل بحلول عام 2027، بحسب رويترز.

في وقت سابق من شهر مايو ، قام المستفيد الرئيسي من قانون الرقائق الأمريكي بزيادة نفقاته الرأسمالية لعام 2024 إلى 8 مليارات دولار، ارتفاعًا من التوجيهات السابقة البالغة 7.5 مليار دولار.

وتتوقع ميكرون أن تصبح شركة HBM شركة تبلغ قيمتها مليارات الدولارات في السنة المالية 2025 وأن تمكن أكثر من 50% من أجهزة الكمبيوتر من أن تكون مدعومة بالذكاء الاصطناعي بحلول عام 2027.

أشاد المحللون بخندق Micron HBM، متوقعين ارتفاعًا من تسعير DRAM القوي، وشحنات المنتجات ذات الأسعار الأعلى والهامش الأعلى، وزيادة التعرض للذكاء الاصطناعي.

ارتفع سهم ميكرون بنسبة 81٪ في الأشهر الـ 12 الماضية. يمكن للمستثمرين التعرف على السهم من خلال المحرك رقم 1 ETF Trust TCW Artificial Intelligence ETF (NYSE: AIFD ) و EA Series Trust Strive US Semiconductor ETF (NYSE: SHOC ).

حركة السعر: تم تداول أسهم MU على ارتفاع بنسبة 1.40% عند سعر 131.27 دولارًا أمريكيًا في السوق الأولية عند الفحص الأخير يوم الثلاثاء.

اقرأ الآن: شركة Magnificent 7 تصبح "الشركة الرائعة": خبير في وول ستريت يشيد بأسهم التكنولوجيا المنفردة باعتبارها الشركة الرائدة في السوق

الصورة: شترستوك